最新晶圆电镀液配方，新技术及电镀加工新工艺
晶圆电镀液配制技术与电镀加工技术是半导体制造中的重要环节，下面就这两方面进行详细介绍：
1. 晶圆电镀液配制技术
晶圆镀液的配制技术主要涉及镀液的配制方法、顺序，以及镀液中成分的选择。
制备方法及顺序：
在电镀槽中加入一定量的蒸馏水。
将计算量的络合剂和导电盐等化学物质在搅拌条件下逐渐加入，并加热或冷却以促进其溶解。
将计算量的主盐药剂加入上述镀液中，主盐应在络合剂之后加入，以保证其充分溶解和络合。
将添加剂、光亮剂和其他化学品溶解在单独的容器中，然后将它们添加到电镀溶液中。
加入蒸馏水至规定体积，调节镀液PH值，然后过滤、分析调整，最后进行通电处理、试镀。
食材选择：
晶圆电镀液的成分主要有主盐、络合剂、导电盐、添加剂、光亮剂等。
主盐是电镀液中的关键成分，决定镀层的类型和性能。
络合剂的作用是稳定水溶液中主盐的存在形式，提高电镀液的稳定性。
导电盐用于增加电镀液的电导率，降低电阻，保证电镀过程的顺利进行。
添加剂和光亮剂用于改善涂层的外观和性能。
2. 电镀工艺
晶圆电镀工艺主要包括以下步骤：
前处理：对晶圆进行清洁及预处理，除去表面的油污、氧化物等杂质，保证电镀层与基体有良好的结合。
基底金属：首先将基底金属（例如 Cr/Ni/Au、Ti/Pt/Au 或 Al/WAu）应用于晶圆上以形成导电层。
光刻胶涂覆与光刻：在晶圆上涂覆光刻胶，通过光刻技术在光刻胶上形成所需的电镀图案。
电镀：将预先处理好的晶圆放入电镀槽中，利用电镀设备在晶圆上形成所需的金属镀层。
后处理：电镀完成后，去除光刻胶及不需要的涂层部分，并进行清洗、退火等处理，以提高涂层的性能和稳定性。
电镀过程中需要控制镀液的成分、浓度、温度、pH值等参数以及电镀时间、电流密度等工艺参数，以保证获得高质量的镀层。同时，还要注意电镀过程中设备和工具的选择、电极材料的选择、安全注意事项等。
总的来说，晶圆电镀溶液配制技术与电镀加工技术是半导体制造中非常重要的环节，需要严格按照工艺要求和操作规程进行操作，以保证获得高质量的镀层和产品。
1. 用于晶圆级凸块互连的锡银铜合金电镀液及电镀方法
【简介】：本技术属于电子封装与互连技术领域，提供一种用于圆片级凸点互连的锡银铜合金电镀液及电镀方法。本技术的锡银铜合金电镀液的组分包括锡盐、银盐、铜盐、络合剂1、络合剂2和添加剂。本技术的锡银铜合金电镀液能有效解决圆片级凸点电镀过程中由于电源线分布不均匀而导致高低压线区域镀层不均匀的问题。所得镀层成分符合共晶成分要求，镀层形貌均匀，晶粒细小致密，性能测试良好。镀液稳定性好，绿色环保，无废水处理问题。
2. 一种电镀晶圆划片刀及其制备方法
【简介】：本技术提出一种电镀晶圆划片刀及其配方技术，属于超硬磨具制造技术领域，用于解决电镀划片刀因颗粒过大导致切割时异常开裂的技术问题。本技术的配方技术包括以下步骤：（1）将金刚石微粉分散于溶剂中，经超声配置为分散液，将分散液离心，得到离心上层液和微粉样品；（2）将离心上层液过滤、洗涤、干燥，得到预处理后的金刚石微粉；（3）将预处理后的金刚石微粉通过电镀工艺涂覆于基体表面，经后处理后得到成品电镀划片刀；所述分散液包括多元醇和水。 该技术可以快速准确地检测并去除金刚石微粉中的大颗粒，使得制备出来的电镀划片刀中金刚石粒度分布均匀、不含大颗粒。
3.一种晶片电镀钨合金溶液、制备方法及电镀方法
【简介】：本技术涉及晶圆技术领域，提供一种晶圆电镀钨合金溶液、制备方法及电镀方法。本晶圆电镀钨合金溶液包括：钨酸盐120～/L、第一稳定剂5.6～87.5mmol/L、镍盐90～/L、亚磷酸130～/L、添加剂0.35～1.5mmol/L，溶剂为去离子水。本技术中的添加剂可以提高电镀液的稳定性，使晶圆电镀区域沉积的钨合金镀层具有致密的非晶态形貌，无针孔、无裂纹，表面光滑，可有效防止因针孔或裂纹等缺陷引起的信号传输不稳定、电阻高、功率损耗过大等技术问题，进一步提高半导体晶圆芯片产品的稳定性和可靠性。
4.一种晶圆上金剥除速率高度可控的反向电镀金剥除剂及其使用方法
【简介】：本技术提供了一种晶圆上金剥除速率高度可控的反向电镀退金剂及使用方法，包括0.01%-10%配体、2%-10%导电化合物、0.01-2%pH调节剂。退金时，以待剥除材料为阳极，通过电化学方法将材料上的金氧化，并与退金剂中的配体结合，形成可溶性金配位化合物，从而将金从材料上剥除，且无需使用任何有毒的氰化物和强氧化剂即可实现退金。退金后的材料表面可保持极低的表面粗糙度，从而获得高度平整的表面。 该技术通过控制反向电镀退金剂中的配体含量、pH值、退金时的工作温度、施加的恒定电流密度等，可以在较宽范围内精确控制退金速率，实现对不同材料的退金处理。
5.半导体晶片电极表面电镀金属的方法
【简介】：本技术提供了一种在半导体晶片电极表面电镀金属的方法，属于III-V族有源芯片电镀方法。减少了电镀前生长一层薄金作为导电层的工序，减少金属浪费；减少了电镀时的光刻工序以及后续的清洗工序，减少有机溶剂的使用；减少了电镀后腐蚀电极外薄层种子金的工序，减少无机化学试剂的使用，简化了工艺流程。主要包括以下步骤：制作待电镀的有源器件晶片的电极，即在晶片的P型区域上形成图形化的SiOx或SiNx绝缘钝化层和图形化的金属电极； 将完成电极制作的有源器件晶圆放置到电镀治具上，电镀治具将有源器件晶圆的N型区域也就是N面封住，而有源器件晶圆的P型区域也就是P面露出来。此技术主要用于晶圆电极表面电镀金属。
6.一种晶圆无氰镀金液配方及其制备方法
【简介】：本技术提供了一种晶圆无氰电镀金溶液配方及其配方技术，涉及电镀金技术领域。晶圆无氰电镀金溶液配方包括第一层膜、第二层膜和第三层膜。第一层膜包括以下重量百分比的组分：聚对苯二甲酸乙二醇酯70-90份、玻璃纤维10-18份、增韧剂1-3份、抗氧化剂5-7份；第二层膜包括以下重量百分比的组分：聚对苯二甲酸乙二醇酯50-60份、阻燃剂20-25份、稳定剂5-8份、开口剂3-6份；第三层膜包括以下重量百分比的组分：聚对苯二甲酸乙二醇酯80-85份。 此技术将第一、二、三层膜结合，打造晶圆无氰化物镀金溶液配方。在第一层膜中，此技术添加玻璃纤维增加强度，第二层膜具有高耐火性，第三层膜可有效抑制静电，这是一个显著的改进。
7. 一种提高电镀凸块高度均匀性的晶片及方法
【引言】：本申请涉及一种晶圆及提高电镀凸块高度均匀性的方法，涉及半导体封装领域，包括以下步骤：获取高度差信息；在产品晶圆上溅射形成电镀种子层；形成初始光刻胶层；在初始光刻胶层的开口处电镀形成金属焊盘；形成最终光刻胶层，最终光刻胶层设有开口，露出所有形成的金属凸块对应的焊盘；在最终光刻胶层的开口处电镀形成初步金属凸块，初步金属凸块包括铜柱和锡帽，锡帽设置在铜柱远离电镀种子层的一侧；去除最终光刻胶层和电镀种子层；对产品晶圆进行回流，形成形成的金属凸块。 本申请的效果是：使得电镀完成后经过回流焊后不同尺寸的电镀凸块的最终高度相同，从而提高了电镀金属凸块高度的均匀性。
8. 晶圆级掩模和电镀工艺
【简介】：一种尺寸大于晶圆的晶圆级掩膜板，其具有器件图案区、围绕器件图案区且直径小于晶圆的环形保护区，以及设置在环形保护区外围的用于将掩膜板固定在光刻机曝光光路上的支撑区；利用该掩膜板进行电镀的工艺为：在晶圆表面旋涂负性或正性光刻胶，经洗边后利用晶圆级掩膜板进行曝光、显影，在环形保护区下方形成围绕器件图案层且直径小于晶圆的环形光刻胶层；将晶圆传送至电镀机，将电镀机的密封压环压接于环形光刻胶层后，将电镀液通入器件图案层，电镀完成后，排出电镀液并去除光刻胶层，得到带有器件电镀层的晶圆。 该工艺利用晶圆级掩模版曝光、显影后形成的环形光刻胶层与密封压环紧密连接，有效避免了镀液从晶圆边缘泄漏影响后续工艺，从而提高了产品良率。
9. 晶圆电镀方法及晶圆
【简介】：本申请提供了一种晶片电镀方法及晶片，所述晶片电镀方法包括以下步骤：将晶片安装到电镀挂架上，密封晶片背面，并将晶片背面与电镀挂架中的*电极接口连接，露出晶片正面；将电镀挂架置于镀槽中，将晶片正面浸入镀槽中的镀液中；将*电极接口与电源负极连接，将镀液与电源正极连接；开启电源，在晶片正面形成电镀金属层。本申请通过上述方法无需在晶片正面溅射种子层即可实现电镀，简化了工艺步骤，降低了成本。
10.用于晶片铜互连及电镀铜工艺的高纯度硫酸铜的制备方法
【简介】：本技术为晶片铜互连及其镀铜工艺提供了一种高纯硫酸铜配方技术。镀铜工艺中电镀液包括以下质量浓度的组分：高纯硫酸铜100-200g/L；浓硫酸120-150g/L；复合整平剂30-90mg/L；复合润湿剂15-45mg/L；络合剂0.5-4g/L；促进剂0.1-0.5g/L；光亮剂15-75g/L；置换剂10-40mg/L；去极化剂15-45mg/L。利用该技术在晶片上电镀铜电镀液，可得到均匀性优良的铜柱，拱起率小于3%，且适用电流密度范围广，电流密度范围为0.1-75ASD。
11.一种用于晶圆级封装的无氰镀金配方及镀金工艺
12.晶片电镀用无氰镀金溶液、其应用及晶片镀金方法
13.一种用于晶圆级封装的镀铜溶液及电镀工艺
14.芯片晶圆表面电镀方法及其应用
15、晶圆电镀产品化学镀镍溶液及化学镀镍工艺
16.晶圆级封装电镀液及电镀工艺
17. 一种在半导体晶片上电镀导电材料的方法
18.一种晶圆深孔电镀前处理的润湿方法
19、超薄晶圆电镀化学镀一体化工艺
20. 晶圆电镀前处理的摆动喷雾工艺
21.一种超薄晶片双面电镀铜厚膜工艺
22.一种适用于晶片电镀的渗透改进工艺
23.晶圆热处理工艺及晶圆双面电镀工艺
24.晶圆级封装超级TSV铜互连材料电镀铜溶液及电镀方法
25、晶圆级封装用电镀锡银合金溶液
26. 电镀方法及晶片凸块制备方法
27.一种提高晶圆金属电镀电流导电性的方法及晶圆
28.一种消除晶片表面电镀空洞缺陷的方法
29.晶片电镀镍金产品及其制备方法
30.晶圆级封装用铜电镀液及电镀方法
31.一种减少硅通孔镀铜后晶圆表面过镀的方法
32. 键合晶圆堆叠及电镀键合晶圆堆叠的方法