本发明涉及电路板制造中蚀刻废液的回收利用技术领域，具体涉及一种电路板酸性蚀刻废液资源的回收利用方法。
背景技术：
世界科学技术的快速发展促进了线路板蚀刻行业的兴起。 酸性蚀刻剂是一种大型蚀刻系统。 蚀刻后排出大量含铜母液。 这是宝贵的资源。 业内人士对此高度重视，并提出了许多有效的回收铜的方法，例如，。 其他资源的在线复用尚未见报道。 众所周知，氯化钠工业上是从海水、盐湖水、地下卤水、岩盐中提取的，是重要的工业产品。 本发明采用多种方法从含有氯化钠的母液中去除铜，并通过电解将其转化为氧化剂，在蚀刻过程中重新使用。 无需添加子液或氧化剂，节省成本，实现生产线在线循环。
技术实现要素：
本发明的目的是克服现有技术的缺点，针对电路板回收铜过程中产生的各种含氯化钠物质，提供一种电路板酸蚀废液资源回收电解氧化剂的方法。酸性蚀刻废液。 母液比较纯净。 只需要去除微量的铜，通过电解即可产生合格的氧化剂溶液，然后用于蚀刻系统。
为了实现上述目的，本发明采用以下技术方案。
一种电路板酸性蚀刻废料资源中回收电解氧化剂的方法。 我公司专利CN2.7通过碳酸钠沉淀回收全部铜资源。 铜沉淀率达到99.9%。 含铜沉淀物用于制备铜精制品。 沉淀铜后的母液中含有氯化钠，除去微量铜，然后用电解制备含有氧化剂和氯化钠的水溶液。 无需制成固体产品，可在蚀刻系统中重复使用，使蚀刻废液中的铜、氯化物、钠资源全部得到回用。 获得母液的方法还有草酸铜沉淀、碳酸盐碱铜沉淀、氢氧化物中和沉淀，以及萃取铜提取、树脂吸附铜提取、电解铜提取等。
优选地，所述含铜沉淀用于制备产品，具体为制备氯化铜产品、硫酸铜产品、碱式碳酸铜产品或氧化铜产品，但不限于上述产品。
优选地，回收铜后产生的废液可以通过电解电解成含有氯化钠和氯酸钠的溶液。 水溶液中氯化钠和氯酸钠的浓度完全可以通过电解工艺参数控制，电解返回的氯化钠和氯酸钠水溶液在除铬后可以完全回用在蚀刻系统中，无需任何额外处理。
优选地，除铜后的滤液中除去微量铜，可采用沉淀法或螯合树脂交换法，得到合格的电解预液，其中铜含量可降至5PPM以下。
优选地，电解制备含有氧化剂和氯化钠的水溶液后，氧化剂的种类较多，且均具有较强的氧化能力。
本发明的有益效果是：本发明线路板酸性蚀刻废液资源化电解氧化剂回收方法针对的是线路板酸性蚀刻废液回收铜过程中产生的含氯化钠母液。且母液比较纯净，经过除铜精制后，可以电解生产出不同浓度的合格氧化剂，并回用在蚀刻系统中。
附图说明
图1是本发明方法的简单流程图。
图2是本发明方法的流程图。
详细方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步说明。
如图1和图2所示，本发明电路板酸蚀废液资源化回收方法将所需的碳酸钠溶液置于反应器中，在室温和搅拌条件下从高位槽中加入酸性酸。 蚀刻废液，反应结束时控制酸度，搅拌45分钟，然后过滤分离沉淀物（粗碳酸铜）。 铜沉淀率达到99.9%。 粗碳酸铜可用于制备铜精炼产品； 沉铜后的母液含有氯化钠，对母液进行精制，然后通过电解制备含有氧化剂和氯化钠的水溶液，回用于蚀刻系统，使蚀刻中的所有铜和氯化钠资源废液得到重复利用。
其中，母液精制工艺为：
母液精制的第一实施例是从酸蚀废液中得到沉淀铜后的母液。 铜：24ppm； 氯化钠：300g/L； 酸碱度：7.5。 用盐酸调节液体pH至2.0左右，搅拌均匀，然后用氢氧化钠调节pH至6.5左右，搅拌静置，过滤，得到精制滤液，即：氯化钠溶液298g /L； 铜1.3PPM，PH：6.5。 制备电解预液。
母液精炼实施例2：经酸蚀废液处理沉铜处理后得到的母液，其铜：30ppm； 氯化钠：280g/L； 酸碱度：7.5。 经过络合离聚物树脂，得到精制母液：氯化钠：270g/L； PH值：7.1； 铜：0.3ppm，然后用氢氧化钠调节至6.5左右，制备预电解液。
其中，电解氧化过程为：
电解氧化剂实施例一：取精制母液5L，逐步通入次氯酸钠发生装置，配制成含1%有效氯的氧化剂溶液。
电解氧化剂实施例二：取精制母液10L，逐步通入二氧化氯发生装置，得到流出液。 经测定有效氯含量为10%。
综上所述，本发明是一种线路板酸蚀废液资源电解氧化剂回收方法，以含氯化铜的酸蚀废液为原料，通过碳酸钠沉淀法回收全部铜资源，铜沉淀率达到99.9 %，含铜沉淀可用于制备氯化铜等产品。 沉铜后的母液含氯化钠200-320g/L。 通过电解制备含有氧化剂和氯化钠的水溶液。 没有必要制作固体产品并在蚀刻系统中重复使用。 其特点是蚀刻废液的铜、氯化钠资源全部回用，零排放，环境友好，经济效益好。 制备氧化剂过程中能源效率高、成本低。 整个系统不需要像现有刻蚀系统那样不断补充刻蚀子液。 蚀刻废液的铜、氯化钠资源全部回收再利用。 这是一种零排放、环境友好、经济效益好的全新工艺。 。
以上仅为本发明的优选实施例。 因此，任何基于本发明专利申请范围所描述的结构、特征和原理的等同变化或修改，均包含在本发明专利申请范围之内。