半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗回收方法.pdf

半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗回收方法.pdf

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1. (19) 中华人民共和国国家知识产权局 (12) 发明专利申请 (10) 申请公开号 (43) 申请公开日期 (21) 申请号 2.3 (22) 申请日期 2020.04.13 (71)申请人 紫金矿业集团黄金冶炼有限公司 地址 福建省龙岩市上杭县南港工业区黄金冶炼公司 （72） 发明人 周放、应宗波、吴卫黄、钟美娟、钟茂丽、罗鹏和（ 74) 专利代理机构 厦门首长君和专利事务所有限公司 35204 代理人 林祥成 (51)Int.Cl. C22B 7/00(2006.01) C22B 11/00(2006.01) C22B 1/00(2006.01) C22B 23/00(20.

2. 06.01) C22B 25/06(2006.01) C22B 19/20(2006.01) C22B 19/30(2006.01) C22B 17/00(2006.01) C01G 9/08(2006.01) B08B 3/12(2006.01) ( 5 4)发明名称半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗和回收方法(57) 摘要本发明公开了一种半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗和回收方法。 首先对环保型浸金剂金蟾液和碱剂进行提纯。 然后，表面镀层金充分溶解； 然后溶解其他镀层金属，完成镀层剥离； 最后提取回收金，并对衬里基材进行超声波无损清洗，并对衬里基材进行真空干燥。 。

3、外观质量检验合格后，产品进行真空包装入库。 本发明具有在不损伤衬里基材的情况下实现贵金属回收、操作简单高效、操作安全环保的特点。 权利要求 1 页 描述 3 页 CN A 2020.07.28 CN A 1、一种半导体芯片制造中贵金属衬板清洗回收的方法，其特征在于：操作步骤如下： (1)、处理剂的净化处理：首先对环保浸金剂金蟾溶液进行净化处理，采用纯水配制溶液并过滤，去除杂质。 纯净水水质要求电阻率15M.CM； 同时，碱剂在使用前经过过滤装置处理； (2)表面镀层金的溶解：使用耐酸碱的恒温振荡摇床，将衬板放入其中； 控制纯化。

4、金蟾剂浓度为100g/L-150g/L，pH为10-13，温度控制在80-100； 摇动速度控制在较低水平，使溶液流动，以确保溶液充分渗透内衬并涂覆表面。 黄金完全溶解； (3)其他镀层金属的溶解：溶金反应完成后，用纯水清洗。 根据镀层金属的性质，使用质量比浓度为10-25的盐酸或硫酸进行溶解。 振荡温度控制在60℃-80℃，完成涂层剥离； (4)金的提取回收及衬里基材的无损处理：表面涂层剥离后，将含金的金蝉液提取回收，将剥离涂层的衬里基材用清洗剂清洗干净。洁净室中的超声波清洗机。 洁净室要求为1000级。 将其放入真空烘箱中以中低温干燥。 干燥温度为50-60℃。 取出后进行表面外观质量检查。

5、检验合格后真空包装贮存。 权利要求 1/1 Page 2 CN A 2 半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗回收方法 技术领域 0001 本发明涉及半导体行业中贵金属衬板的清洗回收利用技术，具体涉及半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗回收方法。半导体芯片制造中贵金属衬板的回收方法 。 背景技术0002 半导体制造对靶材和蒸镀材料的质量要求较高，导致贵金属新材料利用率较低，通常低于30； 大量的剩余材料和边角料需要再生和回收，大量的接触衬里和废品需要清洗和再利用。 现有技术中，衬里清洗机主要用于对半导体芯片和基板片上的贵金属进行清洗和剥离。 但仅剥离衬板表面的黄金等贵金属来回收黄金，并没有实现衬板基材的回收利用。 。

6.重复使用，造成大量浪费。 发明内容0003本发明的目的是提供一种半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗回收方法，在不损坏衬里基材的情况下实现贵金属的回收，操作简单高效，安全可靠并且环保。 0004 为了实现上述目的，本发明半导体芯片制造中贵金属衬里的清洗回收方法的操作步骤如下： 0005 1、处理剂的净化：首先对环保浸金液进行净化剂金蟾溶液，用纯净水配制，溶液过滤除去杂质。 纯净水水质要求电阻率15M.CM； 同时在使用碱性剂前进行过滤装置处理； 0006 2、表面镀层金的溶解：采用耐酸碱恒温振荡床，将内胆置于其中； 控制纯化后的金蝉浓度为100g/L。

7、-150g/L，pH为10-13，温度控制在80-100； 将摇床速度控制在较低水平，使溶液流动，以确保溶液充分浸润衬管并充分溶解表面的金涂层； 0007 3.其他镀层金属的溶解：溶金反应完成后，用纯水清洗。 根据镀层金属的性质，使用质量比浓度为10-25的盐酸或硫酸进行溶解。 摇床温度控制在60-80℃，完成涂层剥离； 0008 4、金的提取回收及衬里基材的无损处理：表面涂层剥离后，对含金金蝉液进行提取回收，将剥离后的衬里基材放入超声波中清洗机在洁净室进行清洗。 洁净室要求为1000级，真空烘箱中低温干燥，干燥温度50-60℃。 取出后检查表面外观质量，检验合格后进行真空包装。

8. 加载库。 0009 由于半导体制造过程中不可避免地引入一些颗粒、有机物、金属、氧化物等污染物，而衬板或蒸发产品对杂质含量非常敏感，因此需要对金蝉剂进行净化处理，并使用纯水制备并过滤溶液以除去杂质。 洁净室要求1000级，纯净水水质要求电阻率15M.CM。 0010 在半导体芯片制造中，贵金属衬板的基材一般采用锗、不锈钢等耐碱材料。 衬板的表面涂层通常为金色。 其他涂层一般由锡、镍、镉等金属或根据蒸发需要将其氧化制成。 事物。 0011 本发明所用的金蝉是替代氰化钠用于金选矿的材料。 无需改变原有工艺和设备即可用于生产黄金。 同时具有低毒、环保、稳定性好、操作简便等优点。 ， 返回。

9、具有恢复快、成本低等优点； 改进后可用于衬板的湿式化学清洗工艺。 使用说明 1/3 Page 3 CN A 3 0012 本发明对表面镀有贵金属涂层的零件进行处理，通过化学或物理处理回收贵金属，然后将其返回到基材中。 即用纯化改良后的金蝉液溶解衬板表面的贵金属金镀层后，根据衬板的材质、金属性能及镀层厚度，继续使用采用酸碱氧化剂浸出法进行处理，得到的衬板基材在洁净室中进行超声波清洗和低温干燥，然后进行表面质量检查和真空包装，使基材能够回收利用。 0013 本发明半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗回收方法，采用环保化学金蝉湿化学法回收金，实现了衬板上蒸发的贵金属的剥离和回收。

10、在使用其他贵金属的同时，实现衬里基材的无损回收再利用。 其技术特点和有益效果如下： 0014 1、采用湿化学法将表面含有贵金属的衬板中的贵金属剥离回收，同时去除衬里基材。 对材料进行无损清洗，即用金蟾试剂将衬板表面的金镀层溶解，然后根据衬板镀层上其他金属的性质进一步进行湿处理实现贵金属的剥离； 0015 2、该湿化学法采用低毒环保剂金蟾，方便运输和管理； 0016 3、湿化学法处理后的衬板经过超声波清洗和低温干燥后，预处理后的性能与原衬板相同，实现衬里基材无损回收利用，具有很大的参考意义用于半导体行业蒸发容器和蒸发产品基材的清洗、回收和再利用； 0017 4.这个。

11、该方法具有操作简单高效、反应速度快、使用安全环保的特点。 具体实施例0018 下面结合三个具体实施例对本发明半导体芯片制造中贵金属衬板的清洗回收方法进行进一步详细说明。 0019 实施例一 0020 本实施例的半导体芯片制造中贵金属衬里的基材为锗，镀层从表面到内部的成分为金、锡、镍、硫化锌层。 本发明半导体芯片制造中的贵金属衬板清洗回收方法的操作步骤如下： 0021 1、处理剂的净化：首先对环保浸金剂金蟾溶液进行净化。 用纯净水配制溶液，过滤除去杂质。 纯净水水质要求电阻率为15M。 。厘米; 同时，使用碱性化学品前应进行过滤装置处理； 0022 2.表面涂层。

12、溶金：采用耐酸碱恒温振荡摇床，放入衬板； 控制纯化后的金蝉浓度为100g/L，pH为11，温度为80； 控制摇床速度，使溶液流量处于低速设置，以保证溶液充分浸润衬管，充分溶解表面的金镀层； 0023 3、其他镀层金属的溶解：金溶解反应完成后，用纯水清洗。 根据镀层金属锡、镍、硫化锌性质，用质量比浓度为20的盐酸或硫酸溶解，控制振荡温度在80℃，完成镀层剥离； 0024 4、金的提取回收及衬里基材的无损处理：表面涂层剥离后，用含金金蝉液进行金提取回收，放置剥离涂层的衬里基材在洁净室的超声波清洗机中进行清洗。 洁净室要求为1000级，真空烘箱为中低级。

13、温热干燥，干燥温度60℃。 取出后进行表面外观质量检查。 检验合格后，真空包装入库。 0025 实施例2 0026 本实施例的半导体芯片制造中的贵金属衬里的基材为锗，从表面到内部的镀层成分为金、镍、镉和硫化锌层。 本发明半导体芯片制造中的贵金属衬板的清洗和回收步骤如下：说明书2/3页4 CN A 4 0027 1、处理剂的净化：首先净化环保的浸金剂金蟾溶液，用纯净水配制，过滤溶液。 纯水水质要求电阻率为15M.CM； 同时，碱性剂在使用前必须经过过滤处理； 0028 2、表面镀层金的溶解：使用耐酸碱的恒温振荡摇床。

14、将内胆放入其中； 控制纯化后的金蟾剂浓度为100g/L，pH为12，温度为85； 控制摇床速度较低，让溶液流动，保证溶液充分浸润衬管。 使表面镀层金充分溶解； 0029 3、其他镀层金属的溶解：金溶解反应完成后，用纯水清洗。 根据镀层金属镉、镍、硫化锌的性质，用质量比浓度为20的盐酸或硫酸溶解。 摇床温度控制在80℃，完成涂层剥离； 0030 4.金提取回收及衬里基材的无损处理：表面涂层剥离后，提取回收含金金蝉液，将剥离涂层的衬板置于基材上在洁净室的超声波清洗机中进行清洗。 洁净室要求为1000级。 在真空烘箱中低温至中温干燥，干燥温度为60℃。 它被删除并搁置。

15、表面外观质量检验，检验合格后真空包装入库。 0031 实施例3 0032 本实施例中，半导体芯片制造中的贵金属衬里的基材为锗，涂层从表面到内部依次为金、镍、镉、硫化锌层。 本发明半导体芯片制造中的贵金属衬板清洗回收步骤如下： 0033 1、处理剂的净化：首先对环保浸金剂金蟾溶液进行净化。 用纯净水配制溶液，过滤除去杂质。 纯净水水质要求电阻率为15M。 。厘米; 同时，使用碱性药剂前应进行过滤装置处理； 0034 2、表面镀层金的溶解：采用耐酸碱恒温振荡摇床，将衬板放入其中； 净化后的防治金蝉药剂浓度为150g/L，pH为13，温度控制在8。

16. 5； 控制摇床速度较低，让溶液流动，保证溶液充分浸润衬板，充分溶解表面的金镀层； 0035 3、其他镀层金属的溶解：溶金反应完成后，用纯水清洗，根据镀层金属镉、镍、硫化锌的性质，按质量比用盐酸或硫酸溶解浓度25，振荡温度控制在80℃，完成涂层剥离； 0036 4.金的提取和回收及衬里基材的无损处理：表面涂层剥离后，提取和回收含金的金溶液，将剥离涂层的衬里基材放入超声波清洗中机器在洁净室进行清洁。 洁净室要求1000级，并在真空烘箱中进行中低温干燥。 温度为60°C。 取出后检查表面外观质量。 检验合格后，真空包装入库。 0037 上述三个实施例均实现了半导体芯片制造中贵金属衬垫涂层中贵金属的回收，同时实现了衬垫基材的无损伤处理和回收利用。 它们具有操作简单高效、运行安全环保的特点，适合半导体。 工业蒸发容器和蒸发产品基材的清洗、回收和再利用具有重要的参考意义。 使用说明书 3/3 第 5 页 CN A 5.