申请日期
公开（公告）日
IPC分类号C02F9/04； /14
概括
本发明是一种半导体含氟废水处理系统及工艺。 其结构包括通过管道依次连接的含氟废水收集池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池。 初沉池、二反应池、二絮凝池、二沉池、排放池； 含氟废水收集池与含氟废水调节池之间、含氟废水调节池与初级反应池之间的管道均设有单独的水泵。 本发明的优点是：采用钙盐沉淀法，处理效率高，废水中氟离子的去除率可达90％以上，运行效果好。 与石灰沉淀法相比，氯化钙易溶于水，产生的污泥量少，不存在石灰渣处置的问题，因此运输、储存、保管都比较方便。 能够满足半导体企业对工厂环境的高要求，更清洁、更高效。 两级除氟工艺可确保最终排放废水氟浓度达到10mg/L以下。
索赔
1、半导体含氟废水处理系统，其特征在于，包括含氟废水收集池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池池、一级沉淀池通过管道依次连接。 二级反应池、二级絮凝池、二沉池和排放池； 含氟废水收集池与含氟废水调节池之间、含氟废水调节池与初级反应池之间的管道上分别设有水泵。
2.根据权利要求1所述的半导体含氟废水处理系统，其特征在于，所述第一级反应池与所述第一NaOH加药箱、第一H2SO4加药箱和第一CaCl2加药箱连接。 混凝池与第二CaCl2加药池连接，一级絮凝池与第一PAM加药池连接，二级反应池与第二NaOH加药池、第二H2SO4加药池和第一级反应池连接。 PAC加药罐。 第一级絮凝罐与第二级PAM加药罐相连。
3.根据权利要求2所述的半导体含氟废水处理系统，其特征在于，所述含氟废水调节池内安装有搅拌装置。
4.根据权利要求3所述的半导体含氟废水处理系统，其特征在于，所述排放池设有在线氟离子检测仪。
5、根据权利要求1-4任一项所述的半导体含氟废水处理系统的处理工艺，其特征在于，包括以下工艺步骤：
1）半导体含氟废水通过管道收集，泵入含氟废水调节池；
2）含氟废水调节池中的废水通过提升泵进入一级除氟反应系统进行处理。 一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，向反应池中添加质量分数为40%的400mg/L。 用质量分数30%、200mg/L的NaOH、H2SO调节pH值，添加质量分数20%、8262.4mg/L的CaCl2作为除氟剂，反应时间20分钟；
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续添加质量分数20%的CaCl2 8262.4 mg/L，反应时间20分钟；
4）初混凝池出水进入初絮凝池，添加质量分数0.1%2.6g/L的PAM作为絮凝剂，等待反应20分钟，使絮体长大、沉降更多容易地;
5）一级絮凝池出水进入一级沉淀池进行泥水分离，上清液进入下一级处理系统，污泥排入污泥池进一步脱水处理；
6)一级除氟反应后出水进入二级除氟反应系统。 首先进入二级反应池进行反应，加入质量分数403.3mg/L的NaOH和质量分数30%的H2SO4、200mg/L调节pH。 值，加入20% 300 mg/L PAC反应，反应时间20分钟；
7)二级反应池出水进入二级絮凝池，加入质量分数0.1%、2.6g/L的絮凝剂PAM，反应时间20分钟；
8）最终二絮凝池出水进入二沉池进行泥水分离后，清水进入排放池。 排放池废水达标废水，最后进入末净池和计量通道，排入市政污水管网。
手动的
一种半导体含氟废水处理系统及工艺
技术领域
本发明涉及一种半导体含氟废水处理系统及工艺，属于水处理设备技术领域。
背景技术
随着半导体工艺技术的快速发展和产量的增加，半导体工厂排放的含氟废水量急剧增加。 为了防止半导体含氟废水的直接排放对环境和生态造成污染和破坏，需要想办法降低废水中的氟浓度。
半导体含氟废水的主要污染指标是pH、F和SS。 现有的半导体含氟废水处理系统有的采用石灰沉淀法，处理成本低，但处理效果较差，产生大量污泥，且还涉及石灰渣的处置，不能满足处理的需要。半导体公司。 对工厂环境要求高。
发明内容
本发明提出的是一种半导体含氟废水处理系统及工艺。 其目的是为了克服现有技术的上述缺陷。 通过设置酸碱调节、除氟、除SS等工艺，可以有效提高处理效果，满足要求。 半导体企业对工厂环境要求很高。
本发明的技术方案：一种半导体含氟废水处理系统，其结构包括含氟废水收集池、含氟废水调节池、一级反应池、一级混凝池、一级絮凝池通过管道依次连接。 初沉池、二反应池、二絮凝池、二沉池、排放池； 含氟废水收集池与含氟废水调节池之间、含氟废水调节池与初级反应池之间的管道均设有单独的水泵。
优选的，所述第一级反应罐与第一NaOH加药罐、第一H2SO4加药罐和第一CaCl2加药罐连接，第一级混凝罐与第二CaCl2加药罐连接，第一级絮凝二级反应罐与第一PAM加药罐连接，二级反应罐与第二NaOH加药罐、第二H2SO4加药罐和第一PAC加药罐连接，二级絮凝罐与第二PAM加药罐连接。
优选地，所述含氟废水调节池内设置有搅拌装置。
优选地，所述出料槽设有在线氟离子检测器。
半导体含氟废水处理系统的处理工艺包括以下工艺步骤：
1）半导体含氟废水通过管道收集，泵入含氟废水调节池；
2）含氟废水调节池中的废水通过提升泵进入一级除氟反应系统进行处理。 一级除氟反应系统中，废水首先进入一级反应池，向反应池中添加质量分数为40%的400mg/L。 用质量分数30%、200mg/L的NaOH、H2SO调节pH值，添加质量分数20%、8262.4mg/L的CaCl2作为除氟剂，反应时间20分钟；
3)一级反应池出水进入一级混凝池，继续添加质量分数20%的CaCl2 8262.4 mg/L，反应时间20分钟；
4）初混凝池出水进入初絮凝池，添加质量分数0.1%2.6g/L的PAM作为絮凝剂，等待反应20分钟，使絮体长大、沉降更多容易地;
5）一级絮凝池出水进入一级沉淀池进行泥水分离，上清液进入下一级处理系统，污泥排入污泥池进一步脱水处理；
6)一级除氟反应后出水进入二级除氟反应系统。 首先进入二级反应罐进行反应，加入质量分数403.3mg/L的NaOH和质量分数30%的H2SO4、200mg/L调节pH。 值，加入20%质量分数的300mg/L PAC进行反应，反应时间20min；
7)二级反应池出水进入二级絮凝池，加入质量分数0.1%、2.6g/L的絮凝剂PAM，反应时间20分钟；
8）最终二絮凝池出水进入二沉池进行泥水分离后，清水进入排放池。 排放池废水达标废水，最后进入终清池和计量通道，排入市政污水管网。
本发明的优点：结构及处理工艺设计合理，采用钙盐沉淀法，处理效率高，废水中氟离子去除率可达90%以上，运行效果好。 与石灰沉淀法相比，氯化钙易溶，以水为基础，产生污泥少，不存在石灰渣处理问题。 运输、保存、储存更加方便。 能够满足半导体企业对工厂环境的高要求，更清洁、更高效。 两级除氟工艺可确保最终排放废水氟浓度达到10mg/L以下。 （发明人安建国、张旭、孔金明、杜英）