本发明的专利技术是一种络合破碎处理电镀废水的方法，包括如下步骤：将电镀废水均质后，根据Cr↑［6+］浓度调节酸度到相应等级，再通过BM优化菌生化处理电镀废水，然后调节pH为8-9，络合重金属在络合破碎塔内处理1-2小时，使络合重金属转化为离子状态后流出；进入曝气池、混凝池进一步混凝除杂，最后进行泥水分离。在络合破碎塔内有数种由不溶性固体物质组成的络合破碎填料处理电镀废水，不溶性固体物质由铁屑、稀土和含硅物质组成，如二氧化硅、聚硅烷或硅烷偶联剂。 本发明专利技术的方法在生化处理后进行复合破碎处理，为提高废水回用率创造了条件。
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【技术实现步骤总结】
本专利技术属于环保
涉及废水处理及资源化利用技术，具体是一种生化法与络合破壁相结合处理电镀废水的新工艺。
技术简介
电镀是利用化学和电化学在金属或其他材料表面镀上各种金属的工艺过程。电镀技术广泛应用于机械制造、轻工、电子等行业。电镀废水成分十分复杂，含有重金属离子、有机化合物、无机化合物等有害物质，目前国内电镀厂每年排放的40亿吨废水达不到国家规定的排放标准，有害物质进入环境后必将对生态造成严重的危害。电镀废水处理技术多种多样，主要可分为化学法、物理法、物化法和生化法。化学法主要利用氧化还原反应或中和沉淀反应，将有毒有害物质分解成无毒或低毒物质或通过沉淀、浮选去除废水中的重金属。物理法有蒸发浓缩、反渗透等，但由于物理法能耗大、运行费用高，尚未得到广泛的推广应用。 物理化学法有吸附法、液膜法、离子交换法、电凝聚法、电渗透法等，上述方法也存在着物理法应用时同样的问题。生物化学法是主要利用生物处理电镀废水的一项高新生物技术。利用微生物处理电镀废水的工艺比较简单，废水pH值范围广，适应性强，而且微生物处理电镀废水的操作控制简单，设备设置容易实现。与化学法等其他方法相比，微生物中的功能菌对金属离子的富集程度高，污泥中金属浓度高且容易回收，因此二次污染较少。近年来，随着生物工程科学的发展，人们对微生物的认识越来越深入，国内外大量的科研成果和工程实例表明，微生物法处理电镀废水具有很大的使用价值和显著的社会效益、环境效益和经济效益。 目前，冠顶组合工艺处理电镀废水的研究日益增多，山东张子建采用微电解-生物法组合工艺处理含铬电镀废水，试验结果表明，处理后重金属离子净化率达99.9%。 天津市杨树生等采用微电解-生物膜复合工艺处理含有重金属离子和氰离子的工业电铍废水，Zn”的去除率由5.5%提高到72%。福州蒋益平等采用沉淀-碱性氯化法处理高浓度含氰废水，通过投加适量的亚铜离子，使高浓度含氰废水形成氰化亚铜沉淀，过滤后的滤液用次氯酸钠氧化，使废水达标排放，废渣循环利用。专利（）处理电镀废水的生化法，采用由脱硫弧菌、脱硫球菌、脱硫带菌组成的BM功能菌，对电镀废水进行二次处理，缺点是处理反应时间较长，处理效率有待进一步优化。
技术实现思路
本专利技术的目的是针对含多种重金属离子的电镀综合废水提供一种对水质水量变化适应性强、效率高、技术稳定的处理工艺。经本专利技术的生化法与络合破壁联合处理工艺处理的电镀废水可达到《电镀污染物排放标准-2008》排放标准。本专利技术的电镀废水处理工艺为复合型电镀废水处理工艺，该工艺采用以BM优化菌为基础的生化法结合络合破壁法处理含多种重金属的电镀废水，生化法应用于电镀废水的前端处理，络合破壁法作为电镀废水的后端处理。 本专利技术的电镀废水生化法与络合破除联合处理方法主要包括以下步骤： (1)将电镀废水均质称重后，根据Cr"浓度调节至相应酸度，Cr"浓度及酸度参考值为50mg/L时06+，pH为3； 当Cr"为200mg/L时，pH为1.5； (2)调节pH后的电镀废水进入生化反应池，使用BM优化菌对电镀废水进行生化处理，使用量为每升电镀废水添加1～3ml BM优化菌，处理时间为1～2小时； (3)生化处理后的电镀废水自流平塔，调节pH为8～9，在络合破碎塔中处理1～2小时，络合的重金属转化为离子状态后流出； (4)络合破碎处理后的电镀废水自流平塔进入曝气池、混凝池进一步混凝除杂，最后进入沉淀池进行泥水分离。
上述步骤（2）中BM优化菌的来源是以BM功能菌团为原料菌，每3天补加一次，sC型培养基，每天通氮气15分钟，35℃生化培养箱恒温培养；然后采用梯度培养基，加入一定浓度的重金属溶液对菌体进行驯化培养，使BM优化菌具备处理pH为1的重金属废水的能力。sC型培养基的成分为，0.5g/L；NH4a，1.0g/L；MgS04·7H20，0.06g/L；CaS04，1.0g/L；FeS04·7H20，0.01g/L；，4.5g/L；CaCl2·H20，0.06g/L； 柠檬酸钠，(K3g/L；乳酸钠，3.5g/L：酵母膏，1.0g/L；培养基的制备过程采用严格的厌氧操作技术。上述步骤(3)中解络塔内装有数种由不溶性固体物质组成的处理电镀废水的解络填料，不溶性固体物质由铁屑、稀土和硅物质组成，硅物质包括二氧化硅、聚硅烷或硅烷偶联剂。本专利技术中的生化法主要采用BM优化菌群处理电镀废水，BM优化菌群是在专利()中所述的功能菌群基础上优选培养而成，是由脱硫弧菌、脱硫球菌、脱硫带状菌组成的复合微生物形成的菌絮。
菌絮体之间相互依存、共生，在化学、物理和遗传信息三个层面存在着相互配合。培养基采用严格的厌氧操作技术制成，脱硫弧菌、脱硫球菌和脱硫带状菌专属一体化培养基(s·C型培养基)，每3天补料一次，每天通氮气15分钟，培养基在35℃恒温生化培养箱中培养。培养基的组成为：0.5g/L；NH4C1，1.0g/L；MgS04·7H20，0.06g/L；CaS04，1.0g/L；FeS04·7H20，0.01g/L；，4.5g/L；CaCl2·H20，0.06g/L；柠檬酸钠，0.3g/L； 乳酸钠，3.5g/L；酵母膏，1.0g/L。培养基全部配制完成后，经0.11MPa灭菌20min，冷却取出备用，即配即用。BM菌优化过程中，配制不同pH梯度培养基，加入一定浓度的重金属溶液驯化菌体，使BM优化后的菌体具有处理pH为1的高酸度重金属废水的能力。菌落的观察与分离采用滚管法，严格的厌氧操作技术称为滚管技术。1950年由微生物学家RE设计的厌氧菌分离技术，称为滚管技术(--nique)。
其主要原理是利用除氧铜柱制备高纯氮气，用高纯氮气驱除微环境中的空气，使得培养基的配制、分装、灭菌和贮存，以及菌种的接种、培养、观察、分离、移植和保存等始终处于高度厌氧条件下，从而保证了这一类严格厌氧菌的存活(钱泽书.沼气发酵微生物学[MI.杭州浙江科学出版社，1986:213)。，sC型培养基来自于培养细菌的培养基(参考.和中-].:出版社，1984.)。 与原BM菌相比（），仅需按体积比一次投加电镀废水体积的1U3^即可达到原先两级投加BM菌的处理效果（第一级投加1/50~1/200，第二级投加1%~3%）。反应时间也由原来的1~2.5h缩短至达到同样的效果。专利技术中所述的复合破除方法
【技术保护要点】
本发明公开了一种解络合处理电镀废水的方法，其特征在于：（1）经生化处理后的电镀废水流入解络合塔，调节pH为8～9，废水在解络合塔中处理1～2小时，使络合的重金属转化为离子后流出；解络合塔内装有由若干种不溶性固体物质组成的解络合填料对电镀废水进行处理，所述不溶性固体物质由铁屑、稀土及硅类物质组成；（2）经解络合处理后的电镀废水流入曝气池、混凝池进一步混凝除杂，最后进入沉淀池进行泥水分离。
【技术特点概要】
【专利技术属性】
技术研发人员：孙培德、赵开芳、郭茂欣、宋英奇、
申请人（专利权人）：浙江工商大学，
类型：发明
国家、省份或城市：86 [中国 | 杭州]
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