专利名称：镍镉充电电池记忆效应消除装置的制作方法
技术领域：
本发明属于电子及充电电池放电技术领域，涉及一种消除镍镉充电电池记忆效应的方法。
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背景技术：
镍镉充电电池在使用过程中如果没有完全放电，就会产生记忆效应，导致充电一次后原有电量略有减少。 记忆效应会使镍镉充电电池长期积累后无法使用。 为了消除镍镉充电电池的记忆效应，可以采用本发明的镍镉充电电池记忆效应消除装置使镍镉充电电池完全放电。 但如果不采取特殊的放电措施，镍镉充电电池就会面临过放电的风险，可能会导致镍镉充电电池的极性反转。 本发明设计的消除记忆效应的放电电路可以将镍镉充电电池放电到0.7V，既保证了镍镉充电电池的正确放电，又不会造成镍镉充电电池的极性反转。镍镉充电电池。 对镍镉充电电池“过早老化”或性能低下，延长使用寿命有一定的修复作用。 下面对本发明镍镉充电电池记忆效应消除装置的实现所涉及的技术内容进行详细说明。
发明内容
发明内容本发明的目的及有益效果镍镉充电电池在使用过程中如果放电不彻底，就会产生记忆效应。 记忆效应会使镍镉充电电池长期积累后无法使用。 本发明采用镍镉充电电池的记忆效应。 消除装置可使镍镉充电电池完全放电。 并且不存在镍镉充电电池过度放电和镍镉充电电池极性接反的风险。 本发明所设计的消除记忆效应的放电电路，可以将镍镉充电电池放电到0.7V，既保证了镍镉充电电池的正确放电，又不会造成电池极性接反，从而避免了电池极性接反的情况。对镍镉充电电池有好处。 那些“过早老化”或性能低下的，有一定的修复作用，延长其使用寿命。 电路工作原理： 镍镉充电电池记忆效应消除装置电路与I.2V镍镉充电电池连接。 镍镉充电电池通过电阻Rl和高频变压器T的LI绕组使NPN晶体管VTl的基极发光。当NPN晶体管VTl极度通电时，NPN晶体管VTl由于快速导通而快速导通。高频变压器T绕组的正反馈作用。 NPN晶体管VTl导通后趋于稳态。 此时，高频变压器T的两个绕组的交流阻抗消失。 直流电阻几乎为0。此时，NPN晶体管VT1的集电极和发射极之间的电压很低，发光二极管LED1、LED2无法发光。 当NPN晶体管VT1的基极电压低于NPN晶体管导通阈值电压0.7V时，NPN晶体管VT1截止。 NPN晶体管VT1截止的瞬间，高频变压器T的L2绕组中储存的能量加到镍镉充电电池的电压上，使发光二极管LED1 LED2发光。
当发光二极管LED1、LED2发光时，电流再次流过高频变压器T的LI绕组，由于高频变压器T的正反馈作用，使NPN晶体管VT1再次导通。继续产生间歇振荡，振荡频率约为1kHz。 在反激式间歇振荡电路的间歇振荡期间，当NPN晶体管VTl导通时，高频变压器T的L2绕组积聚电能。 此时，发光二极管LEDl、LED2不发光。 当NPN晶体管VTl截止时，高频变压器T的L2绕组中储存的能量与镍镉充电电池的电压串联，使发光二极管LEDI LED2发光，镍镉充电电池可以间歇放电。 随着镍镉电池放电，其电压逐渐下降。 小的。 当镍镉充电电池的放电电压低于NPN晶体管导通阈值电压0.7V时，发光二极管LED1、LED2将不再发光，镍镉充电电池的放电过程结束。 技术方案是一种镍镉充电电池记忆效应消除装置，由I.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成。 其特点是由NPN晶体管VTI和电阻器Rl组成反激式间歇振荡电路。 它由高频变压器T组成。NPN型晶体管VTl的基极接高频变压器T的LI绕组的同名端。高频变压器T的LI绕组的异名端。高频变压器T通过电阻Rl连接至电路正极VCC。 NPN型晶体管VTl的集电极接高频变压器T的L2绕组的异端。高频变压器T的L2绕组的同名端接高频变压器T的正极VCC。电路。 NPN晶体管VTl的发射极连接至电路地GND； 放电负载电路由发光二极管LEDl和发光二极管LED2组成。 ，发光二极管LEDl和发光二极管LED2的阳极连接至NPN晶体管VTl的集电极，发光二极管LEDl和发光二极管LED2的阴极连接到电路地GND。
I. 2V镍镉充电电池的正极连接到电路的正极VCC，I. 2V镍镉充电电池的负极连接到电路地GND。
图1是镍镉充电电池记忆效应消除装置实施例所采用电路的工作原理图。
具体实施例基于图1所示的镍镉充电电池记忆效应消除装置的电路工作原理图，
本发明可以按照本发明内容中描述的电路各部分中的元件之间的连接关系以及实施例中描述的元件的技术参数要求来实现。 元件名称及主要技术参数： 高频变压器T采用Φ8“工业”型高频磁芯。 LI绕组采用ΦO.21mm（36号）漆包线，分层平绕30匝。 L2绕组采用￠0。 21mm漆包线分层平绕15匝。 注意标记每个绕组的相同端。 绕组之间必须使用绝缘材料； VTl为NPN晶体管，选用型号为（或BC547），要求β≥160； 电阻器Rl的阻值为150Ω； LED1和LED2为发光二极管，可选择两个同直径的红色发光二极管。 电路制作和电路调试要点。 本实用新型的镍镉充电电池记忆效应消除装置的电路结构非常简单，比较容易制作。 一般来说，只要所使用的元件性能完好，元件的物理连接正确，电路不需要任何调试。 可以正常工作； 该电路接通1.2V镍镉充电电池后，发光二极管LEDl和发光二极管LED2都不亮，说明反激式间歇振荡电路没有开始振荡，L2绕组高频变压器T只需将两端互换即可； 为了缩短镍镉充电电池的放电时间，可以在发光二极管LEDl、LED2两端并联多个相同型号的发光二极管，以增加放电负载。 如果镍镉充电电池仍有一定的电量，可以使用本装置对镍镉充电电池进行再次放电； 通过这种放电处理方法，可以完全消除镍镉充电电池的记忆效应，使镍镉充电电池恢复到原来的容量。
权利要求
1、一种镍镉充电电池记忆效应消除装置，由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成。 其特点是，反激式间歇振荡电路由NPN晶体管VTI、电阻器Rl和高频变压器T组成。NPN晶体管VTl的基极接于高频变压器LI绕组的同名端。 -高频变压器T。高频变压器T的LI绕组的异名端通过电阻器Rl连接至电路的正极VCC。 NPN型晶体管VTl的集电极接高频变压器T的L2绕组的异端，高频变压器T的L2绕组的同名端接高频变压器T的正极VCC。电路，NPN晶体管VTl的发射极连接电路地GND； 放电负载电路由发光二极管LEDl和发光二极管LED2组成。 发光二极管LED1和发光二极管LED2的阳极连接至NPN晶体管VT1的集电极。 发光二极管LED1的阴极和发光二极管LED2的阴极连接至电路地GND。
2.根据权利要求1所述的镍镉充电电池记忆效应消除装置，其特征在于，所述1.2V镍镉充电电池的正极连接电路正极VCC，1.2V镍镉充电电池的负极连接电路正极VCC。 - 镉充电电池连接至电路地GND。
全文摘要
本发明公开了一种消除镍镉充电电池记忆效应的装置。 镍镉充电电池记忆效应消除装置由1.2V镍镉充电电池、反激式间歇振荡电路、放电负载电路组成。 镍镉充电电池在使用过程中如果没有完全放电，就会产生记忆效应。 经过长期积累，记忆效应会使镍镉充电电池无法使用。 采用本发明的消除镍镉充电电池记忆效应的装置，可以将镍镉充电电池完全放电，不存在镍镉充电电池过放电和镍极性反转的风险。 - 镉充电电池。 本发明所设计的消除记忆效应的放电电路，可以将镍镉充电电池放电到0.7V，既保证了镍镉充电电池的正确放电，又不会造成电池极性接反，从而保证了镍镉充电电池的正常放电。影响镍镉充电电池的性能。 “过早老化”或性能低下都有一定的修复作用，延长使用寿命。
文件编号 H02J7/
发表日期: 2012年11月28日 申请日期: 2012年8月14日 优先权日: 2012年8月14日
发明人黄玉松申请人：黄玉松