羟基如何影响催化剂金属分散与迁移?

日期: 2024-06-05 01:11:27|浏览: 94|编号: 71779

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羟基如何影响催化剂金属分散与迁移?

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一,

影响金属分散和迁移的因素有哪些?

1. 催化气氛

纳米金属物质在连续氧化还原处理下的烧结和再分散已被广泛报道。例如,在 Rh/Al2O3、Rh/TiO2 和 Pt/Fe2O3 催化剂中观察到 CO 诱导的金属纳米颗粒再分散成纳米团簇或单个原子,以及在氢气还原下单个原子烧结成纳米团簇。

氧化处理已用于诱导金属纳米粒子重新分散为原子级分散物种。此外,纳米催化剂在反应条件下的动态变化也是一个重要问题。利用原位表征技术,观察到反应气氛下铂纳米结构在单个原子、纳米团簇和纳米颗粒之间的动态可逆转变。有关金属-载体相互作用的更多信息,请参阅本公众号的以下文章

图 1. 气氛处理过程中金属的可逆动态转变(J. Am. Chem. Soc. 2016, 138, 15743– 15750,DOI:10.1021/jacs。)

2. 催化剂载体的种类及性能

氧化物载体的性质也是影响金属覆盖层再分散的重要因素。载体表面活性和化学性质可以改变金属颗粒的相互作用和吸附行为,从而影响金属的分散和迁移。氧化物上的羟基对金属物质的再分散起着重要作用。据报道,Fe3O4 表面上的羟基有助于锚定高度分散的 Pd 和 Rh 物质。Zhu 等人报道了一种简单的尿素水解辅助热液沉淀法,可以制备高负载(15 wt%)的孤立 Cu2+ 中心,这些中心与 SiO2 表面的 Si-OH 基团结合。

图 2. 功能化的 CeOx 纳米岛可用于稳定原子分散的催化剂 ( 611, 284–288 (2022) )。

3、金属颗粒大小:金属颗粒的大小对分散迁移过程也有着重要的影响,颗粒尺寸越小的金属颗粒一般越容易分散,在催化剂中的迁移速率也越高。

4、催化剂制备方法:催化剂的制备方法也会影响金属的分散和迁移,不同的制备方法可以导致催化剂结构和金属颗粒分布的不同,从而影响金属的分散和迁移行为。

5.反应条件:反应条件,如温度、压力、反应物浓度等,也可能对金属的分散和迁移产生影响。这些条件可以改变金属颗粒与催化剂之间的相互作用、扩散速率和表面吸附行为。

一般来说,影响催化剂金属分散和迁移的因素很多,包括载体性质、金属粒度、催化剂制备方法、反应条件、表面包覆等,了解和控制这些因素对金属分散和迁移的影响,有助于优化催化剂的性能和活性。

二,

如何表征和量化羟基?

1. 傅立叶变换红外光谱法(FT-IR):红外光谱法是识别羟基等功能基团的一种非常有效的方法。羟基通常在红外光谱中3200-3800 cm-1区域产生吸收峰,可用来识别和确定其存在。

(ACS(4),2277-2285)

如上图所示,羟基的具体分类为:3540 cm−1:H- -OH;3800-3670 cm−1:孤立的-OH。

2.核磁共振(NMR):通过测量样品在磁场中核自旋态的跃迁,可以得到羟基的信息。在氢核磁共振谱中,羟基氢的信号通常出现在1-5 ppm左右。

图 3 W/WO2 催化剂上质子覆盖率和化学状态的多分辨率光谱表征。h 1H MAS NMR 和 i Py-IR 光谱。(Nat. . 14, 5363 (2023). )

例如,在 W/WO2 浸渍样品上,固态 1H 磁角旋转核磁共振 (1H MAS NMR) 光谱在约 1.3 ppm 和 3.4 ppm 处显示两个宽带 (图 4h),其中低化学位移峰可归因于 WO2 和碳基质上的末端羟基混合物 (W-OHT 和/或 C-OHT),而高化学位移峰来自 WO2 基质中的晶格羟基 (W-OHL)。

3.X射线光电子能谱(XPS):XPS是一种元素定量和化学状态分析的技术,也常用于表征羟基。

图 4. AlOOH-T 中的 OH。(a) AlOOH-T 的 XPS O 1s。(b) AlOOH-T 的 TG。(c) AlOOH-T 的 OH 从 TG。(d) AlOOH-T 的 HD。(e) AlOOH-T 的 OH 从 HD 的峰面积按质量计算。(ACS (4), 2277-2285)

如图4.a所示,XPS图谱中,531.1(eV)为晶格氧(OL);532.4(eV)为表面羟基(OOH)物种。通过XPS峰分离,可以计算出表面羟基的相对含量,如:新鲜的AlOOH样品中,OOH的比例为55.3%。由图可知,经过煅烧后的AlOOH-500、AlOOH-700和AlOOH-900样品,OOH的比例分别下降到46.8%、32.0%和16.4%,说明随着煅烧温度的升高,表面羟基含量降低。

4. 热重分析TG-DCS

氧化物表面的羟基在加热过程中会以水分子的形式解吸。因此,可以通过 TGA 中的重量损失定量测量样品中的 -OH 含量。如上图 3b 所示,室温至 200°C 之间的质量损失归因于表面物理吸附水的解吸,而 200°C 以上的质量损失归因于 -OH 的解吸。-OH 解吸质量损失分别为 5.6%、4.5% 和 3.5%。因此,对于这三个样品,归一化到载体质量的 OH 含量分别为 6.2、4.9 和 3.-1。

5、拉曼光谱:通过测量散射光频率与入射光频率的差异,可获得物质的振动、旋转等信息,从而识别羟基。

6、滴定:用于定量分析,通过滴定得到羟基的数量。

7.质谱法:通过测量样品的质量及其相对丰度,可以对羟基进行定量分析。

三,

如何调节羟基含量?

1.改变载体煅烧温度

根据羟基的温度敏感性,通过在不同温度下煅烧拟薄水铝石、硅溶胶等富含羟基物种的前驱体,可以得到不同羟基丰富程度的载体。如图3所示,通过煅烧拟薄水铝石AlOOH可以得到不同羟基含量的氧化铝。

2. 酸处理

通过控制酸溶液的类型和浓度,可以开发出一种直接去除γ-Al2O3表面羟基的方法,从而提供必要的、量身定制的空位缺陷。

图5. 酸处理前后催化剂表面羟基的变化:(A)羟基IR,(B)羟基IR的归一化面积,(C)H NMR谱,(D)H NMR的归一化面积,(E)吡啶IR谱,(F)N2-IR谱,(G)吡啶IR的归一化面积。(B: 315 (2022))

3.过氧化氢处理

过氧化氢处理可以增加载体的羟基含量。

图6 1%H2O2/Al2O3主要吸附机理

四、

羟基与金属的分散和迁移机理是什么?

图 7. 扩散控制的银再分散。(A)2Ag/AlOOH-T-NP 和 2Ag/AlOOH--NP 样品在 500 °C 氧气中加热时 UV-Vis 信号强度的时间依赖性(插图)-Munk 曲线的斜率与 OH 密度之间的关系。(B)2Ag/AlOOH-500 和(C)2Ag/AlOOH-500-H2O2 的图像。(D)(i) 2Ag/AlOOH-500、(ii) 2Ag/AlOOH-900 和 (iii) 2Ag/AlOOH-500-H2O2 的分散模型

在γ-Al2O3载体上,金属原子的表面扩散和锚定可能取决于表面羟基的性质,后者是热力学驱动的过程,分散度与羟基含量呈正相关。但前者是动力学过程,与达到稳定的再分散状态的时间有关。需要注意的是,我们案例中观察到的分散状态只经历了4 h的氧化处理,可能不是稳定状态,而是瞬态。改变2Ag/AlOOH-500在氧气中的煅烧时间,研究再分散过程随时间的变化。如图7c所示,煅烧时间为2 h时,银纳米颗粒的分布不均匀,10 nm左右的银纳米颗粒无处不在(图7c中红色圆圈)。当煅烧时间为4 h时,10 nm左右的大颗粒数量迅速减少(图7中红色圆圈)。

基于以上实验结果,我们提出了Ag NPs在γ-Al2O3载体表面再分散的机理,如图6d所示。金属纳米颗粒在氧化物表面的再分散主要取决于两个过程:表面扩散和表面锚定。如文献所示,当温度超过温度(熔化温度的一半,对于Ag而言为344℃)时,Ag原子可以从Ag颗粒中脱离(有或没有O2的帮助)并扩散到载体表面。Ag NPs在350℃左右开始在所有载体上再分散。因此,Ag原子从颗粒上的脱离主要取决于克服脱离能垒的温度。DFT计算表明,金属吸附原子可以通过形成金属-反应物复合物从金属颗粒上脱离,并在反应条件下最终扩散到载体表面。 氧吸附是银分散的驱动力,分散过程中形成可移动的银-氧物种,然后在羟基化的Al2O3表面迁移。-OH基团是银物种在γ-Al2O3表面的锚定位点。从分散过程来看,银物种在γ-Al2O3表面的迁移是通过在相邻的-OH位点之间“跳跃”实现的,因此增加OH密度将为表面银物种的迁移提供更多的位点,这类似于氢溢出过程中OH辅助氢在氧化物表面的扩散。此外,当羟基化程度从50%增加到75%时,银与γ-Al2O3载体之间的相互作用降低。因此,增加OH密度将通过降低扩散势垒来加速银的重新分布过程。经过延长氧化时间后,可移动的银-氧物种将扩散到更远的-OH位点以达到最终的稳定状态。在此期间,-OH含量将主导分散程度。 载体中-OH含量越高,其锚固的移动物质越多,导致氧化后期(10 h)2Ag/AlOOH-500-NPs分散性越好。总之,OH含量决定分散能力,OH密度决定分散速率。因此,可以通过调节载体表面的OH含量和密度来控制金属颗粒的再分散。

五,

总结

图 8. 在金属氧化物和碳化物/氮化物负载催化剂上构建金属-载体界面的建议策略示意图(Wang et al.,Metal-to and Metal, Chem (2023),)

金属的分散和迁移与载体的相互作用密切相关。目前已开发出多种策略利用动态 SMSi 效应构建金属-载体界面,并通过调节 SMSi 进一步改变催化体系的性质(图 2):(1)用金属氧化物覆盖层包裹金属纳米粒子,(2)将负载的金属纳米粒子重新分散成孤立的原子或小簇,以及(3)创建金属/TMC 和金属/TMN 界面。

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